1. Діелектрична проникність плазми

плазма характеризується електродинамічним параметром ɛ .Якщо електричне поле відсутнє, то відносна діелектрична проникність плазми рівна

Якщо ν<< ω формули (9.1) спрощуються:

Поняття плазми може бути розповсюджено на електронно-дірковий газ у напівпровідниках. Електродинамічні параметри невиродженого напівпровідника з двома типами електропровідності, для якого ефективні частоти зіткнень електронів і дірок рівні νn і νp, ф а діелектрична проникність решітки , ɛp можуть бути представлені формулою

Де плазмові частоти електронів та дірок відповідно; n і p – концентрації електронів і дірок; Якщо у напівпровіднику існує декілька сортів частинок з різними ефективними масами, тоді це повинно бути відображено відповідним членами у формулі .Узагальненою електродинамічною

характеристикою середовища є комплексна діелектрична проникність

Частковим випадком анізотропних середовищ є гіротропні середовища, для яких хоча б один із тензорів (ɛ) та (µ) маэ вигляд

Гіромагнітні властивості виявляють деякі середовища, розміщені у

постійному магнітному полі. Так, для газової плазми у присутності

постійного магнітного поля H0=H0Iz складові тензора діелектричної проникності записуються у вигляді

Де частота ларморівської процесії.

При врахуванні зіткнень складові тензора комплексної діелектричної проникності газової плазми матимуть вигляд