Скануючий тунельний мікроскоп


Схема тунелювання електронів крізь прямокутний потенціальний бар`єр

Формування СТМ зображень поверхні за методом сталого тунельного струму (а) та сталої середньої відстані (б) В.Л.Миронов "Основы сканирующей зондовой микроскопии" Российская Академия наук. Институт физики микроструктур. г. Нижний Новгород 2004 г.

Скануючий тунельний мікроскоп	Так виглядає шар алюмінію на поверхні кремнію, який отримано за допомогою СТМ у відділі фізики поверхні ІАПУ ДВО РАН. Поскільки атоми алюмінію більші ніж атоми кремнію, утворюється така незвична надструктура у вигляді трикутників.

Поверхня Si (111) 7x7 – реконструкцiя тераси (а) і переходу між двома терасами (б) Кафедра кріогенної та мікроелектроніки. Лабораторія електронної спектроскопії

Перебудова поверхні зразка Si – за допомогою СТМ можна контрольовано керувати місцем положення атомів на поверхні Кафедра кріогенної та мікроелектроніки. Лабораторія електронної спектроскопії

До списку демонстрацій